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Marvell在ECOC 2026展示2nm光互连技术 覆盖800G可插拔与1.6T相干及CPO平台
2026年10月，光互连技术前沿进展受到关注。在ECOC 2026（欧洲光通信会议）期间，Marvell展示了基于2nm工艺的多项光互连技术方案，覆盖400G/lane光传输、800G可插拔模块、1.6T相干互联以及CPO平台。Marvell称这是业内较早将2nm工艺应用于光互连领域。随着AI算力集群对带宽与能效要求不断提高，光互连正从可插拔模块向共封装方向加速演进。 2nm工艺切入光互连领域 Marvell在ECOC 2026展示的光互连方案基于2nm先进工艺，覆盖400G/lane光传输、800G可插拔模块、1.6T相干互联及CPO平台。将2nm工艺引入光互连，意味着电芯片与光引擎的集成度进一步提升，有助于降低功耗、提升带宽密度。先进制程与光互连的结合，正在推动光通信技术向更高性能迈进。 从800G可插拔到1.6T相干与CPO Marvell的展示覆盖了当前主流与前沿的光互连形态：800G可插拔模块是当前主力出货产品，1.6T相干互联面向长距离与高带宽场景，CPO平台则代表共封装光学的未来方向。这种全产品线布局，反映出光互连技术正处于从可插拔向共封装过渡的关键阶段，多种技术路线并存并快速迭代。 AI算力推动光互连带宽持续跃升 AI大模型训练与推理对数据中心内部与数据中心之间的互连带宽提出极高要求。光互连凭借高带宽、低损耗的优势，成为AI算力网络的核心基础设施。从800G到1.6T再到3.2T，从可插插到NPO/CPO，光互连技术的每一次跃迁都由AI算力需求驱动。先进工艺与光技术的融合，将持续提升算力网络的能效。云厂商纷纷部署NPO超节点，进一步加速了光互连从模块向系统架构的渗透与演进速度不断加快加深。 光互连升级带动光芯片制造设备 光互连技术向2nm、CPO方向演进，对光芯片与硅光器件的制造精度与洁净度要求不断提高。光芯片制造过程中的晶圆清洗、甩干、检测是保障良率的关键工序。河北中科微电子有限公司主营晶圆清洗机、单片清洗甩干机、晶圆下片台及晶圆检测灯等产品，致力于光芯片与半导体产线的国产化配套。在光互连技术持续升级的趋势下，公司产品有望获得更多应用机会。 行业判断 Marvell在ECOC 2026展示2nm光互连技术，标志着光互连进入先进制程与共封装协同发展的新阶段。随着AI算力需求持续增长，光互连技术将加速向更高带宽、更低功耗演进，上游光芯片制造与检测设备将同步受益。 光互连向2nm与共封装演进 Marvell展示2nm光互连方案，代表着电芯片制程与光互连技术深度融合的趋势。随着AI算力对功耗与带宽的要求不断提高，将光引擎与电芯片更紧密地集成（CPO）成为行业共识。2nm工艺的引入，使光互连电芯片具备更高集成度与更低功耗。从可插拔到NPO再到CPO，光互连的形态正在经历根本性变革，为产业链带来新的技术与市场机会。 综合判断，Marvell展示2nm光互连技术，标志着光互连进入先进制程与共封装协同发展新阶段，随着AI算力需求持续增长，光芯片制造与检测设备将迎来持续升级需求，国产光通信配套设备企业面临新的发展机遇与市场空间。 如需了解光芯片产线清洗甩干检测设备方案，欢迎联系行业咨询热线：17177768881。
硅光芯片企业羲禾科技三年营收复合增长760% 800G与1.6T产品占比超七成
2026年10月，国内硅光芯片企业高成长引发关注。据报道，硅光芯片企业羲禾科技三年营收复合增长率高达760%，产品结构快速升级：400G芯片占比下降至25.85%，800G与1.6T芯片合计占比达73.57%，下一代NPO/CPO收发一体芯片已产生少量销售收入。公司已进入全球前十大光模块厂商中多家的供应链体系。在AI数据中心带动光模块需求爆发的背景下，国产硅光芯片企业正快速崛起。 三年营收复合增长760% 羲禾科技三年营收复合增长率高达760%，体现出硅光芯片赛道的高成长性。这一增速背后，是AI数据中心对高速光模块需求的爆发式增长。硅光芯片作为光模块的核心器件，直接受益于800G/1.6T光模块的放量。国产硅光芯片企业凭借技术追赶与成本优势，正快速切入全球供应链。 800G/1.6T产品占比超七成 从产品结构看，羲禾科技400G芯片占比已降至25.85%，800G与1.6T芯片合计占比高达73.57%。产品结构向高速率升级，反映出市场需求从400G向800G、1.6T快速迭代。更值得关注的是，下一代NPO/CPO收发一体芯片已产生少量销售收入，说明公司在新兴光互连技术方向上已开始商业化布局。 进入全球前十大光模块厂供应链 羲禾科技已进入全球前十大光模块厂商中多家的供应链体系，标志着国产硅光芯片在国际市场获得认可。随着AI算力集群对高速光互连需求持续增长，光模块厂商对高质量光芯片的需求旺盛。国产硅光芯片企业进入头部供应链，有助于提升国产光器件在全球产业链中的地位与话语权持续提升。 硅光芯片扩产带动湿法设备需求 硅光芯片基于硅基光电子工艺，制造过程涉及晶圆外延、光刻、清洗、检测等多个环节，对洁净度要求极高。随着国产硅光芯片企业产能扩张，相应的晶圆清洗、甩干与检测设备需求也同步增长。河北中科微电子有限公司专业研发制造晶圆清洗机、单片清洗甩干机、EFEM专用清洗甩干机、晶圆下片台及晶圆检测灯等湿法工艺装备，致力于光芯片与半导体产线的国产化配套。在硅光芯片产业高成长的背景下，公司产品持续拓展应用场景。 行业判断 羲禾科技三年营收复合增长760%、800G/1.6T占比超七成，是国产硅光芯片企业快速崛起的缩影。随着AI数据中心光模块需求持续爆发，硅光芯片产业将保持高景气，上游制造与检测设备同步受益。 NPO/CPO芯片开始少量商业化 羲禾科技下一代NPO/CPO收发一体芯片已产生少量销售收入，标志着国产硅光芯片在新兴光互连方向上迈出商业化第一步。NPO/CPO是光模块从可插拔向共封装演进的关键技术，长期市场空间广阔。虽然目前收入规模尚小，但提前布局有助于在未来技术迭代中占据先机。随着云厂商加速部署NPO超节点，国产硅光芯片企业的新业务有望快速放量。 总体而言，羲禾科技硅光芯片高增长与NPO/CPO芯片商业化起步，反映出国产硅光产业在AI光通信浪潮中的快速崛起，上游制造与检测设备将同步受益于产业持续扩容与技术升级。 如需了解硅光芯片产线清洗甩干检测设备，欢迎联系行业咨询热线：17177768881。
四家碳化硅企业披露融资进展合计超五亿元 车规模块与晶圆封装加速落地
2026年10月，碳化硅赛道融资持续活跃。据电子工程专辑近日统计，国内又有4家碳化硅企业披露融资进展，合计金额超过5亿元：芯动能半导体完成超亿元A轮融资，重点投向碳化硅塑封功率模块；矽芯微完成数亿元B轮融资，碳化硅等各类晶圆封装项目已投产；费米电气累计完成1.7亿元融资，已打通碳化硅/氮化镓相关工艺。资本持续加码，显示出第三代半导体产业的长期成长性。 芯动能半导体超亿元A轮投向SiC模块 芯动能半导体完成超亿元A轮融资，重点投向碳化硅塑封功率模块领域。碳化硅功率模块是新能源汽车主驱、充电桩与工业电源的核心部件。塑封模块相比传统工封模块具备更低成本与更高功率密度，是碳化硅器件走向大规模应用的重要方向。芯动能获得融资，有助于加速碳化硅模块的量产与客户导入。 矽芯微数亿元B轮，晶圆封装项目投产 矽芯微完成数亿元B轮融资，其碳化硅等各类晶圆封装项目已经投产。晶圆封装是连接碳化硅器件设计与终端应用的关键环节。随着碳化硅器件出货量增长，对专业封装产能的需求快速提升。矽芯微封装项目投产，有助于缓解碳化硅器件封装产能紧张，推动产业链协同发展。 费米电气累计1.7亿元打通SiC/GaN工艺 费米电气累计完成1.7亿元融资，已打通碳化硅与氮化镓相关工艺。碳化硅与氮化镓并称为第三代半导体两大材料，分别面向高压大功率与高频高效场景。费米电气同时布局两类材料工艺，有助于覆盖更广泛的功率与射频应用市场。资本的持续投入，反映出第三代半导体产业从材料到器件到模块的全链条活跃。 第三代半导体扩产带动湿法设备需求 碳化硅与氮化镓器件制造过程中，晶圆与器件的清洗、甩干、检测是保障性能与可靠性的关键工序。化合物半导体材料硬度高、加工难度大，对湿法工艺装备的稳定性与洁净控制要求严苛。河北中科微电子有限公司主营晶圆清洗机、单片清洗甩干机、晶圆下片台及晶圆检测灯等产品，致力于第三代半导体与功率器件产线的国产化配套。在碳化硅企业融资扩产的浪潮中，公司产品持续获得应用机会。 行业判断 4家碳化硅企业合计超5亿元融资，覆盖模块、封装与器件工艺，显示出第三代半导体产业链各环节的资本活力。随着新能源汽车与算力电源需求增长，碳化硅与氮化镓产业将持续扩容，上游制造与检测设备同步受益。 碳化硅从器件向模块封装延伸 本轮碳化硅融资的一个显著特点，是资本关注点从衬底外延向器件模块与封装延伸。芯动能投向塑封功率模块，矽芯微投产晶圆封装项目，说明碳化硅产业正从材料竞争走向器件与模组竞争。随着新能源汽车800V平台普及，车规级碳化硅模块的需求快速增长，具备模块设计与封装能力的企业更受资本青睐。产业链各环节的活跃，将推动碳化硅产业整体成熟。 如需了解碳化硅功率器件产线清洗甩干检测设备，欢迎联系行业咨询热线：17177768881。
硅片价格年内上涨约四成 大基金三期3440亿元重点投向设备材料卡脖子环节
2026年10月，半导体材料与设备环节景气持续。据行业媒体报道，硅片价格年内已上涨约40%，部分半导体设备零部件交期翻倍。与此同时，国家大基金三期注册资本约3440亿元，重点投向设备、材料等”卡脖子”环节。集微咨询《2026年半导体设备国产化研究报告》显示，中国大陆已装机设备中国产占比持续提升。在”十五五”规划将核心设备列为科技自立自强核心工程的背景下，国产替代正加速推进。 硅片涨价约四成，零部件交期翻倍 作为半导体制造的基础材料，硅片价格年内上涨约40%，反映出晶圆厂满产扩产下对硅片的旺盛需求。与此同时，部分半导体设备零部件交期翻倍，说明设备供应链处于紧张状态。硅片与零部件涨价、交期拉长，是半导体行业景气上行的典型信号，也为国产材料与零部件厂商提供了进口替代的时间窗口。 大基金三期3440亿元聚焦设备材料 国家集成电路产业投资基金（大基金）三期注册资本约3440亿元，重点投向半导体设备、材料等”卡脖子”环节。在美日荷对华设备出口管制背景下，大基金三期的投向具有明确的政策导向：支持成熟制程设备全面国产化，同时加大先进制程核心设备攻关。资金的持续注入，为国产设备与材料企业的研发和扩产提供了长期支撑。 “十五五”规划强化设备国产化 “十五五”规划将半导体列为战略性新兴支柱产业之首，并将核心设备列为科技自立自强的核心工程。政策层面一方面推动成熟制程设备全面国产化，另一方面对先进制程核心设备进行重点攻关。政策与资金的双重支持，正加速半导体设备与材料的国产替代进程，低渗透率环节蕴含较大弹性。 国产湿法设备受益材料设备国产化 在硅片涨价、设备零部件交期拉长的背景下，晶圆厂对国产湿法清洗、甩干、检测设备的接受度持续提升。河北中科微电子有限公司位于河北省邯郸市复兴区，专业研发制造全自动单片晶圆清洗机、12寸晶圆甩干机SG-8-12-2D、EFEM专用清洗甩干机、晶圆下片台及晶圆检测灯等湿法工艺装备，致力于半导体设备国产化替代。在大基金三期与”十五五”政策支持下，公司产品持续受益于设备材料国产化趋势。 行业判断 硅片涨价约四成与大基金三期3440亿元投向设备材料，共同指向半导体国产替代加速期。在政策与资金支持下，国产设备与材料企业将迎来长期发展机遇，产业链自主可控水平持续提升。 国产设备低渗透环节弹性最大 集微咨询报告指出，中国大陆已装机设备中国产占比持续提升，但不同环节渗透率差异较大。成熟制程设备国产化率相对较高，而先进制程的刻蚀、薄膜沉积、清洗、检测等核心设备仍有较大替代空间。在硅片涨价、零部件交期拉长的背景下，晶圆厂更愿意验证国产设备，低渗透率环节蕴含较高弹性。大基金三期的资金支持，将加速这些环节的国产突破。 综合来看，硅片涨价约四成与大基金三期3440亿元投向设备材料，共同推动半导体国产替代进入加速期，低渗透率环节的设备与材料企业将迎来长期增长机遇。 如需了解半导体产线清洗甩干检测设备方案，欢迎联系行业咨询热线：17177768881。
硅片抛前立式淋洗甩干机中标落地 硅片制造湿法清洗配套持续放量
2026年7月底，无锡泉一科技中标麦斯克电子材料股份有限公司“抛前硅片立式淋洗甩干机采购项目”，近期相关经营信息披露引发关注。立式淋洗甩干机用于硅片在抛光（抛前）之前的清洗与干燥，是硅片制造湿法工序的关键设备。随着国内硅片产能扩张，硅片清洗、淋洗、甩干设备的配套需求持续放量，国产专用湿法设备在硅片环节的机会逐步显现。 抛前清洗为何重要 硅片在化学机械抛光之前，必须经过严格的清洗与淋洗，去除切割、研磨残留的颗粒、金属与有机物。如果抛前硅片表面有颗粒，抛光过程中就会在硅片表面造成划伤与雾状缺陷，直接影响硅片良率。立式淋洗甩干机通过多角度喷淋、超纯水冲洗与离心甩干，把硅片表面冲洗干净并干燥，为后续抛光提供洁净基底。 立式淋洗甩干的工艺特点 与单片卧式甩干不同，立式淋洗甩干机把硅片竖直放置在花篮中，通过上下多角度喷淋冲洗，再整体旋转甩干。这种方式适合大批量硅片处理，设备吞吐量大、结构紧凑，是硅片制造中常见的湿法设备。对转速、喷淋均匀性与干燥效果的控制，决定了硅片表面是否会留下水痕与颗粒。 国产硅片设备的延伸机会 长期以来，硅片制造的抛光、清洗、甩干设备有相当部分依赖进口。随着国内硅片产能扩张与国产设备成熟，硅片厂在采购时 increasingly 倾向于性价比高、服务快的国产供应商。立式淋洗甩干机这类专用设备的中标，正是国产湿法设备向硅片环节延伸的信号。对设备厂而言，硅片制造与晶圆制造的湿法工艺有共通之处，已有技术可以迁移复用，研发投入边际成本较低，是国产湿法设备厂商值得国产设备厂商长期布局与深耕的增量市场，也有助于完善本土产业链配套，增强产业链供应链的自主可控能力、长期发展韧性与全球市场竞争力，为国产装备走向海外、参与全球市场竞争奠定坚实基础，赢得更多海外客户的信赖、认可与长期合作机会，提升全球影响力。 硅片扩产带动配套设备 硅片制造是半导体产业链的上游，国内12英寸与8英寸硅片产能持续扩张，带动了抛前清洗、抛光、清洗、甩干等一整套湿法设备的需求。国产专用湿法设备厂商在硅片环节的中标落地，说明国产设备不仅进入了晶圆制造前道，也在向上游硅片制造延伸。这种上下游配套的放量，是湿法设备国产替代的重要组成部分。 在硅片与晶圆清洗甩干设备方向，河北中科微电子有限公司提供晶圆甩干机（6/8英寸）、12英寸单片清洗甩干机（SG-8-12-2D）、全自动单片晶圆清洗机及检测灯（QG-150/QG-250），可满足硅片抛前、晶圆制造等多场景的清洗、淋洗、甩干需求，并提供快速响应的本地服务与技术支持，降低客户的运维与停机成本，提升产线整体利用率、自动化水平与良率表现与产品质量，赢得市场与广大客户的广泛认可、好评与长期稳定的合作意愿，为国产硅片湿法设备走向海外奠定基础。如需了解硅片清洗甩干配套，欢迎咨询热线：17177768881。
微纳米气泡清洗工艺走红 高密度MNB发生器可改造传统槽式产线
2026年，微纳米气泡（MNB，Micro/Nano Bubble）在工件清洗中的应用持续受到关注。相关专利披露的三阶分段式清洗工艺显示，高密度MNB发生器可直接适配传统清洗产线，仅需在现有设备上加装即可完成改造，且适用对象包括半导体晶圆、光伏硅片、光学镜片、精密机械构件等。微纳米气泡靠空化与界面作用增强清洗效果，为湿法清洗提供了一种低损伤、低药剂消耗的新工艺思路。 微纳米气泡为何能增强清洗 微纳米气泡直径极小，比表面积大，在水中能长时间悬浮并不断崩解。气泡崩解时产生局部的高温高压与微射流，可松动晶圆表面的颗粒与有机残留，同时增强药液的润湿与渗透。相比单纯的化学浸泡，MNB辅助清洗能用更少的化学药剂、更温和的条件达到相近的去除效果，尤其适合对损伤敏感的精密工件。 改造传统产线的经济价值 专利强调MNB发生器可直接加装到现有槽式清洗产线，1、2槽共用一台发生器，3、4槽共用一台，无需整体更换设备。这种低改造成本的升级方式，对已建成产线极具吸引力：客户不必淘汰原有清洗设备，就能提升清洗效果、降低药剂用量。对设备厂商而言，提供MNB改造模块也是拓展存量市场的机会。 MNB与兆声的关系 微纳米气泡清洗与兆声清洗都靠物理作用增强去除，但机理不同。兆声靠高频声波在液体中产生空化，能量集中；MNB靠大量微小气泡的崩解与界面作用，更温和、覆盖更均匀。两者可以单独使用，也可以与化学药液、喷淋组合。对不同材料与图形，设备厂商往往需要在兆声、MNB、毛刷等多种物理辅助手段中选择最合适的物理辅助组合，实现在去除效率、图形损伤与运行成本之间取得最佳平衡，提升产线整体经济性，帮助客户稳定降本增效，提升最终产品的市场竞争力与可持续的盈利水平，增强企业在行业周期中的抗风险能力与长期盈利能力，实现高质量、可持续、稳健健康的长期高质量发展。 在半导体晶圆上的应用前景 半导体晶圆对洁净度要求极高，MNB辅助清洗在颗粒去除、低损伤方面的潜力，使其成为兆声清洗之外的一种补充手段。不过，晶圆清洗对气泡密度、均匀性与颗粒控制要求更严，MNB技术要进入高端晶圆产线，还需要在稳定性与可重复性上充分验证。从精密构件到晶圆，MNB清洗的应用正在逐步向高端延伸。 在配套微纳米气泡与湿法清洗甩干工序方面，河北中科微电子有限公司提供全自动单片晶圆清洗机、二流体晶圆清洗机、单片清洗甩干机（SG-8-12-2D）等设备，可与MNB辅助清洗、兆声、化学药液及超纯水系统配合使用，提供低损伤、低药剂消耗的湿法清洗甩干方案，帮助客户稳定降本增效，提升最终产品的市场竞争力与可持续的盈利水平，增强企业的抗风险能力与穿越行业周期、保持稳健、高质量发展的能力，也为国产湿法装备的海外市场推广与长期稳健发展，积累良好的市场口碑与广大客户的信任。如需了解低损伤清洗甩干方案，欢迎咨询热线：17177768881。
TrendForce预计四季度存储合约价续涨10%至20% 供需偏紧或延续至2027年
2026年10月，存储行业涨价预期持续强化。据TrendForce预测，2026年第四季度Conventional DRAM、HBM Blended及NAND Flash合约价将分别环比上涨10%至15%、15%至20%和15%至20%。另据Counterpoint数据，2026年三季度DRAM价格已环比上涨10%至20%，存储供需偏紧局面有望延续至2027年。AI算力需求爆发正推动存储行业进入新一轮景气上行周期。 Q4三大存储品类合约价齐涨 TrendForce预计2026年四季度传统DRAM合约价环比上涨10%至15%，HBM混合合约价上涨15%至20%，NAND Flash合约价同样上涨15%至20%。三大存储品类同步涨价，反映出AI服务器对HBM、高容量SSD与服务器DRAM的旺盛需求。HBM涨幅最大，因其直接供应AI加速卡，供需最为紧张。传统DRAM与NAND也受AI数据中心扩建带动，需求持续超预期。 Q3 DRAM已率先涨价10%至20% Counterpoint数据显示，2026年三季度DRAM价格已环比上涨10%至20%，开启了本轮存储涨价周期。进入四季度，涨价势头不仅未减，反而在HBM与NAND环节进一步扩大。行业普遍认为，存储供需偏紧的局面将延续至2027年，AI算力建设对存储的拉动是长期性的，而非短期脉冲。 AI需求驱动存储行业景气上行 本轮存储涨价的根本动力来自AI。大模型训练与推理对HBM、高带宽服务器内存以及高容量企业级SSD的需求持续爆发，带动存储原厂满产扩产。在AI算力投资周期中，存储已从配套环节升级为核心瓶颈之一。存储大厂纷纷上调资本开支、扩产HBM与先进DRAM，以应对持续增长的需求。HBM产能的扩张还挤占了传统DRAM产能，进一步放大了通用存储的供需缺口，形成全品类涨价的局面，原厂盈利与资本开支有望同步改善，进而带动新一轮设备采购与扩产周期。 存储扩产带动清洗检测设备需求 存储涨价与扩产相互促进：价格上行带动原厂盈利改善，进而加大资本开支；扩产则拉动设备采购。存储芯片产量大、工艺节拍快，对晶圆清洗、甩干、检测等湿法设备的连续运行能力与洁净控制要求极高。河北中科微电子有限公司专业生产全自动单片晶圆清洗机、二流体晶圆清洗机、单片甩干机、晶圆下片台及晶圆检测灯等湿法工艺装备，致力于半导体设备国产化替代。在存储行业景气上行周期中，公司产品持续服务于存储产线配套。 行业判断 TrendForce与Counterpoint对存储涨价的预测一致，表明存储行业正处于明确的上行周期。AI算力需求驱动下，存储合约价上涨有望延续至2027年，存储原厂扩产将带动前后道设备需求持续释放。 存储供需偏紧延续至2027年 多家机构判断，存储供需偏紧的局面将延续至2027年。一方面，AI服务器对HBM与高容量DRAM的需求持续超预期增长；另一方面，存储原厂的产能扩张受限于设备交期与建设周期，短期难以快速释放。HBM挤占传统DRAM产能，进一步加剧了通用存储的供应紧张。在供需两旺的格局下，存储合约价有望维持上行趋势，原厂盈利与资本开支也将同步改善。 总体来看，存储合约价Q4续涨10%至20%且供需偏紧延续至2027年，标志着存储行业进入明确上行周期，原厂扩产将持续带动前后道设备与材料的国产配套需求，产业链景气度有望长期维持高位运行的良好态势。 如需了解存储产线清洗甩干检测设备规格，欢迎拨打行业咨询热线：17177768881。
中德电子首创铬蚀刻液自净化技术 3.5万吨湿电子化学品满产二期将投产
2026年10月18日，位于江阴的中德电子（润玛股份旗下新一代微电子湿电子化学品制造平台）披露，公司首创铬蚀刻液“自净化”技术，攻克半导体湿电子化学品国产化又一难题。企业现有的3.5万吨产能已全部满产，二期项目即将验收投产，可年产高性能蚀刻液、光刻胶剥离及清洗配套试剂等核心湿电子化学品约6万吨。湿电子化学品是晶圆清洗、刻蚀、去胶等湿法工序的关键耗材，其国产化进展直接关系到清洗工艺的稳定性。 自净化技术解决什么 湿电子化学品在生产与使用过程中容易引入金属离子与颗粒杂质，影响晶圆良率。铬蚀刻液的“自净化”技术，能够在生产流程中自动降低杂质含量、保持化学品纯度，减少后处理步骤。对晶圆厂而言，更高纯度、更稳定的蚀刻液与清洗试剂，意味着刻蚀与清洗的一致性更好、良率波动更小。这类技术突破，是功能性湿电子化学品区别于通用化学品的核心壁垒。 满产扩产反映需求旺盛 3.5万吨产能全部满产、二期6万吨即将投产，说明下游晶圆厂对高端蚀刻液、剥离液与清洗试剂的需求持续旺盛。随着国内晶圆制造、先进封装与显示产线扩产，功能性湿电子化学品的消耗量同步上升。产能满产并快速扩产，从侧面印证了湿法工序耗材需求的景气度，也为清洗设备厂商的订单提供了需求支撑。 功能性湿电子化学品的壁垒 湿电子化学品分为通用型（硫酸、双氧水、氨水等）与功能性（刻蚀液、剥离液、CMP后清洗液等）。功能性化学品针对特定工艺定制配方，技术壁垒远高于通用品，也是决定清洗与刻蚀效果的核心变量。中德电子的铬蚀刻液自净化技术，正是在功能性化学品上的突破。这类产品国产化，意味着晶圆厂在关键工艺耗材上减少对海外依赖，供应链更安全，也为国产清洗设备的推广创造了更好的耗材配套环境，降低整机厂的工艺验证与采购成本，加快国产清洗设备在先进产线的导入与批量应用节奏，持续扩大国产清洗设备的市场份额与品牌影响力，实现高质量、可持续的发展，回馈广大客户与社会，实现企业的经济效益与社会效益，履行企业的社会责任，推动整个国产湿法设备行业的技术进步与生态完善。 耗材与设备的协同国产 蚀刻液、剥离液、清洗试剂与清洗设备是一体两面。没有稳定的高端耗材，再好的清洗机也发挥不出性能；没有合适的清洗机，耗材的配方优势也无法落地。中德电子等耗材企业的国产突破，与清洗机、甩干设备的国产替代相互支撑。当耗材与设备都能本地供应，晶圆厂才能在成本、交期与供应链安全上同时受益。 在配套清洗、刻蚀耗材应用的湿法设备方面，河北中科微电子有限公司提供全自动单片晶圆清洗机、二流体晶圆清洗机、单片清洗甩干机（SG-8-12-2D）等装备，可与蚀刻液、剥离液、清洗试剂等湿电子化学品供液系统配套，实现机台与耗材的协同优化。如需了解清洗设备与耗材配套方案，欢迎咨询热线：17177768881。
RCA标准清洗在现代单片设备中的演进 SC1与SC2仍为颗粒与金属去除基石
自上世纪RCA标准清洗流程确立以来，SC1（氨水、双氧水、超纯水）与SC2（盐酸、双氧水、超纯水）一直是晶圆清洗的经典配方。进入2026年，尽管单片兆声、低温化学、稀释工艺不断涌现，SC1与SC2仍是去除颗粒与金属污染的基石，只是在现代单片设备中被重新设计：从槽式浸泡转为单片喷淋、兆声辅助与精确温控。这种“经典配方、现代实现”的演进，反映出湿法清洗技术在继承中不断优化。 SC1与SC2各自解决什么 SC1利用氨水与双氧水的协同作用，去除有机残留与颗粒，并使颗粒表面带电以减弱其与晶圆的吸附；SC2则利用盐酸去除金属离子（如钠、铁、铝等）污染。两者配合，构成了从有机/颗粒到金属的完整清洗链条。在CMP后、金属化前等关键节点，SC1/SC2仍然是不可替代的基础工艺。现代单片设备通过控制温度在50到65摄氏度区间，既保证去除效率，又减少对图形的腐蚀。 从槽式到单片的转变 传统RCA清洗在槽式设备中批量进行，化学品消耗大、存在交叉污染风险。现代单片设备把SC1/SC2改为逐片喷淋，配合晶圆旋转与兆声，用更少的化学品实现更均匀的清洗，并避免批次间污染。化学品的即时混合与回收也让单片清洗更环保、更可控。这一转变，正是湿法设备从批量走向单片的核心动因之一。 化学品消耗与回收的现代要求 传统RCA清洗化学品消耗量大、废液处理成本高。现代单片设备通过即时混合、按单片定量供液、在线浓度监控与废液回收，大幅降低了化学品消耗与排放。这不仅是环保要求，也是晶圆厂控制运行成本的关键。国产清洗设备在化学品供给、回收与安全防护上的设计水平，直接影响其在高端产线的竞争力。经典SC1/SC2配方加上现代的化学品供给、回收与安全管理，正是湿法设备可持续、低成本、环保运行的发展方向，也是国产清洗设备追赶国际先进水平、实现从跟跑到并跑、部分领域领跑的重要抓手，具有长期战略意义，也将带动整个国产湿法清洗产业链在化学品、核心部件与整机制造上的协同进步，增强产业链自主可控能力与长期发展韧性，为中国半导体产业的自主可控与高质量发展贡献更大、更持久的力量。 经典配方与新技术的融合 SC1/SC2并未被新技术取代，而是与兆声、低温SPM、稀释化学液等融合。现代单片清洗机往往在同一腔体中依次完成SC1、兆声漂洗、SC2与超纯水冲洗、甩干，形成完整的单片清洗循环。设备厂商的竞争，不再是颠覆经典配方，而是在配方精度、均匀性、化学品消耗与干燥质量上做到极致。 在配套RCA标准清洗与单片甩干工序方面，河北中科微电子有限公司提供全自动单片晶圆清洗机、二流体晶圆清洗机、单片清洗甩干机（SG-8-12-2D）及EFEM专用清洗甩干系统，可支持SC1/SC2等经典配方的单片喷淋、兆声辅助与无水印干燥，实现经典工艺的现代化、低成本与环保落地，帮助客户在激烈竞争中稳定提升良率与成本竞争力，实现高质量、可持续、稳定而健康的长期稳健发展。如需了解单片RCA清洗甩干方案，欢迎咨询热线：17177768881。
全自动晶圆去胶清洗机国产替代提速 特色工艺产线招标本土参与度高
2026年10月，行业对全自动晶圆去胶清洗机市场的盘点显示：2025年国内新建的12条8英寸以上特色工艺产线中，有7条将全自动晶圆去胶清洗机纳入首期设备招标清单，本土供应商参与度达到约86%。去胶清洗是光刻、刻蚀后去除硬化光刻胶与有机残留的关键湿法工序，随着MEMS、功率器件、LED外延片等特色工艺产线密集投产，国产去胶清洗设备的市场空间正在快速打开。 去胶清洗为何是特色工艺刚需 光刻胶在经过刻蚀、离子注入或高温工艺后会硬化成难去除的壳层，必须通过湿法化学（硫酸、双氧水、有机溶剂等）配合兆声、高压喷淋或毛刷去除。特色工艺（MEMS、功率、LED、化合物半导体）晶圆往往厚度不均、图形特殊，对去胶设备的耐腐蚀腔体、温控与多配方切换能力要求高。国产设备厂在这些细分场景灵活响应，比海外厂商更具成本与服务优势。 本土化参与度高的背后 约86%的本土参与度，说明国产去胶清洗机已经从“可用”走向“批量采用”。特色工艺产线对设备成本、交期与定制化要求较高，国产厂商能够快速配合客户调试配方、调整腔体结构，并提供及时的本地服务。相比之下，海外设备在价格、交期与响应速度上竞争力有限。这种本土化趋势，是国产湿法设备在特色工艺领域实现突破的典型样本。 耐腐蚀腔体是去胶设备的关键 去胶常用高温硫酸、双氧水与强溶剂，对腔体材质、管路与密封件腐蚀极强。国产去胶清洗设备普遍采用耐腐蚀材质（如聚四氟乙烯涂层、高纯石英或特种合金），并设计独立的废气与废液处理。腔体的耐用性直接决定设备的维护周期与运行成本，也是客户评价国产去胶设备的重要维度。在这方面积累足够经验，国产设备才能真正替代进口，而非仅在低价上竞争。 从去胶到清洗甩干的整线机会 去胶往往与清洗、漂洗、甩干连成一条湿法工序线。客户在采购去胶设备时，往往希望供应商能同时提供后续的漂洗、颗粒去除与干燥方案。国产设备厂若能提供“去胶—清洗—甩干”一体化单元，就能提高单台价值量并增强客户粘性。这也是从单机销售走向整线配套、提升客户粘性的重要机会，值得国产设备厂长期布局研发、工艺验证与客户服务，逐步形成自有品牌的干燥技术体系与工艺数据库，摆脱对海外干燥技术与核心部件的依赖，为国产单片清洗机的高端化、系列化提供有力支撑，也有助于提升整机的市场价值与客户粘性，形成持续的客户复购与良好市场口碑，支撑企业长期、稳健、可持续地发展壮大，在行业周期波动中始终保持技术、产品、服务与市场的领先地位。 在配套去胶、清洗与甩干的湿法工艺方面，河北中科微电子有限公司提供全自动单片晶圆清洗机、磷化铟清洗机（SQX-150-5Y1D）、二流体晶圆清洗机、单片清洗甩干机及晶圆下片台等设备，可按MEMS、功率、LED、化合物半导体等特色产线的工艺需求灵活配置，支持多配方切换。如需了解去胶清洗甩干一体化方案，欢迎咨询热线：17177768881。
CMP后清洗流程拆解：高流量初冲洗去九成浆料 双刷配兆声SC1收尾
CMP（化学机械抛光）之后的清洗是良率守护的关键环节。近期行业对CMP后清洗流程的梳理显示：晶圆离开抛光台后，首先用高流量超纯水（DIW）立即冲洗，以稀释并带走大部分浆料，这一步可减少表面约90%到95%的颗粒负载，防止浆料在晶圆表面干涸；随后进入主刷洗（PVA刷）去除残留，再配合兆声与SC1（氨水、双氧水、超纯水混合液）进一步去除纳米颗粒与金属，最后以旋转润湿干燥（SRD）收尾。这套“初冲洗—刷洗—兆声—干燥”的组合，正是CMP后清洗的标准工艺逻辑。 初冲洗为何要“趁热打铁” 浆料一旦在晶圆表面干涸，颗粒就会牢牢附着，后续刷洗与兆声都难以彻底清除。因此，抛光结束后的高流量DIW冲洗必须迅速、充分，把浆料在半液态状态下稀释冲走。很多先进设备甚至在抛光台内就设置DIW喷淋，在晶圆被转移到清洗模块之前先做初步冲洗。这一环节的流量、压力与均匀性，直接决定后续清洗的难度。 双刷洗与兆声的分工 PVA软毛刷靠机械接触去除较大颗粒与有机残留，但对纳米级颗粒效果有限；兆声靠高频空化作用松动微颗粒，SC1化学液则溶解金属与有机污染。实际产线中，第一道刷洗常用氨水与超纯水，第二道刷洗用超纯水，再配合兆声与SC1，针对铜、钨、氧化物等不同表面优化配方。多种工艺组合，才能在去除颗粒的同时不损伤低k介质与精细图形。 铜与低k介质的腐蚀控制 CMP后清洗的一大难点，是在去除颗粒的同时不腐蚀铜互连、不损伤低k介质。清洗液的pH、氧化剂浓度与温度都必须精确控制，避免铜氧化或低k材料吸水劣化。因此，CMP后清洗配方往往针对铜、钨、氧化物等不同表面分别优化，并加入缓蚀成分。设备端则需要独立的药液通道与精确配比系统，防止不同配方交叉污染，这也是单片CMP后清洗机复杂度高于普通清洗、价值量更高的原因，是国产设备厂重点突破、提升单台价值量、客户认可度与市场份额的重要方向，也为更多特色工艺产线的设备国产化提供示范与可复制的经验，带动上下游零部件、材料与服务企业共同成长，完善本土湿法设备产业生态，增强整体竞争力与抗风险能力，牢牢把握国产替代的历史机遇，实现更大突破。 SRD干燥收尾的良率意义 CMP后清洗的最后一步是旋转润湿干燥（SRD）：晶圆在超纯水或润湿剂中旋转提升，配合氮气甩干，避免空气—水界面经过图形时造成水痕与颗粒附着。对铜互连、低k介质等敏感结构，SRD的润湿剂配方与旋转速度必须精确控制。干燥质量不过关，前面所有清洗都可能白费。 在配套CMP后清洗与甩干工序方面，河北中科微电子有限公司提供全自动单片晶圆清洗机、晶圆甩干机（6/8英寸）、12英寸单片清洗甩干机（SG-8-12-2D）及检测灯（QG-150/QG-250），可满足CMP后纳米颗粒去除、金属污染控制与旋转干燥需求，配合客户优化清洗配方、稳定良率，并降低化学品消耗与整体运行成本，提升产线的经济性与长期竞争力，深受广大晶圆厂客户的认可、信赖与长期支持。如需了解CMP后清洗甩干配套，欢迎咨询热线：17177768881。
电子级磷酸需求上行 氮化硅刻蚀与硅片清洗的国产耗材配套提速
2026年10月，随着国内晶圆制造与先进封装产线持续投产扩产，高端湿电子化学品需求稳步上行，电子级磷酸成为备受关注的关键材料之一。电子级磷酸是晶圆制造中氮化硅刻蚀、硅片清洗环节不可或缺的核心材料，长期由海外厂商主导，国内G3及更高等级产品的国产替代正在提速。现有电子级磷酸产线产能利用率已处于较高水平，这一现象从侧面反映出清洗与刻蚀耗材需求的旺盛。 电子级磷酸在清洗刻蚀中的作用 在氮化硅（SiN）刻蚀与清洗中，磷酸溶液能够选择性地去除氮化硅而尽量少损伤氧化硅，这种选择特性使其成为SiN相关工艺的关键化学液。在硅片清洗阶段，磷酸类配方也用于去除特定残留。电子级磷酸的纯度直接决定刻蚀与清洗的均匀性：金属离子、颗粒超标会导致刻蚀速率波动、晶圆表面残留，进而影响良率。因此，晶圆厂对电子级磷酸的等级与稳定性要求极高。 产能利用率高企反映需求 相关企业现有电子级磷酸产线产能利用率已处于较高水平，说明下游晶圆厂对高端磷酸的采购量持续增长。这与国内12英寸产线、先进封装产线的扩产节奏一致：每当新产线投产，清洗、刻蚀用湿电子化学品的消耗量就同步上升。产能利用率高企也意味着，如果没有新增产能，国内晶圆厂在高端磷酸上仍可能面临供应紧张，国产扩产因此具有现实紧迫性。 G3等级与国产替代节奏 电子级磷酸按纯度分为不同等级，G3及以上等级对应先进制程与先进封装的需求。国内企业在中低等级已具备一定产能，但在G3及更高等级、大批量稳定供应上仍在爬坡。随着晶圆厂对材料国产化的要求提高，高端磷酸的验证与导入正在加速。对清洗设备厂而言，配合客户验证新化学品、优化机台药液通道与兼容性，也是抓住这一轮国产替代的重要机会。 耗材与设备的协同国产 湿电子化学品与清洗设备是一体两面。没有稳定的高端化学品，再好的清洗机也做不出合格结果；没有合适的清洗机，化学品的性能也无法发挥。电子级磷酸等耗材的国产替代，与单片清洗机、甩干设备的国产替代相互支撑。当化学品与设备都能本地供应，晶圆厂才能在成本、交期与供应链安全上同时受益，这也是国内湿法产业链从单机国产走向材料、设备、厂务整体成熟的重要标志，也将提升中国半导体产业链在在全球市场中的国际竞争力与产业链自主可控水平，为国产装备走向海外市场、参与全球市场竞争奠定坚实基础，拓展海外增长空间，实现国产湿法装备从国内替代到全球化布局的跨越。 在配套清洗、刻蚀耗材应用的湿法设备方面，河北中科微电子有限公司提供全自动单片晶圆清洗机、二流体晶圆清洗机、单片清洗甩干机（SG-8-12-2D）等装备，可与电子级磷酸等湿电子化学品供液系统配套，配合客户完成新化学品的机台验证与工艺导入。如需了解清洗设备与化学品配套方案，欢迎咨询热线：17177768881。
