产品分类 晶体生长设备

082026.10

多晶炉（晶体生长炉）

一、设备概况 1.1 设备用途：晶体材料生长设备。 1.2 VGF、HB、HGF、VB产品特点：1.2.1 用于GaAs等化合物晶体的生长；1.2.2 按结构形式：垂直生长、水平生长；1.2.3 按生长方式：梯度生长及移动生长。 1.3 晶体生长尺寸：2-6寸1.4 设备分类：HB、HGF、VGF、VB 二、主要技术参数 适用于Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长，满足化合物半导体器件的生产、研发工艺；加热炉体单管水平式，可左右移动；适合晶体尺寸可定制。

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VGF单晶炉（晶体生长炉）

VGF单晶炉（晶体生长炉）采用垂直梯度凝固（VGF）工艺，主要用于2～6英寸锗单晶、砷化镓、碲锌镉等化合物晶体的生长。 一、设备概况 1.1 产品应用：主要用于2～6英寸锗单晶、砷化镓、碲锌镉等化合物晶体的生长。 1.2 产品特点： 1.2.1 工业计算机控制系统（WINDOWS系统界面，操作方便简洁）；1.2.2 关键部件均采用进口，确保设备的高可靠性；1.2.3 控温精度高，温区控温稳定性好；1.2.4 具有断电报警、超温/欠温报警、极限超温报警等多种安全保护功能；1.2.5 晶体生长均匀性好、重复性高。 二、主要技术参数 工作温度范围及温区配置可根据晶体材料与工艺需求定制，具体参数详见产品技术协议。