Crystal Growth Equipment
多晶炉（晶体生长炉）
一、设备概况 1.1 设备用途：晶体材料生长设备。 1.2 VGF、HB、HGF、VB产品特点：1.2.1 用于GaAs等化合物晶体的生长；1.2.2 按结构形式：垂直生长、水平生长；1.2.3 按生长方式：梯度生长及移动生长。 1.3 晶体生长尺寸：2-6寸1.4 设备分类：HB、HGF、VGF、VB 二、主要技术参数 适用于Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长，满足化合物半导体器件的生产、研发工艺；加热炉体单管水平式，可左右移动；适合晶体尺寸可定制。
01Product Details
一、设备概况
1.1 设备用途：晶体材料生长设备。
1.2 VGF、HB、HGF、VB产品特点：
1.2.1 用于GaAs等化合物晶体的生长；
1.2.2 按结构形式：垂直生长、水平生长；
1.2.3 按生长方式：梯度生长及移动生长。
1.3 晶体生长尺寸：2-6寸
1.4 设备分类：HB、HGF、VGF、VB
二、主要技术参数
适用于Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长，满足化合物半导体器件的生产、研发工艺；加热炉体单管水平式，可左右移动；适合晶体尺寸可定制。
02Technical Specifications
| 设备用途 | 晶体材料生长设备 |
|---|---|
| 适用材料 | Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体（GaAs等）晶体生长 |
| 晶体生长尺寸 | 2-6寸 |
| 设备分类 | HB、HGF、VGF、VB |
| 结构形式 | 垂直生长 / 水平生长 |
| 生长方式 | 梯度生长及移动生长 |
| 加热炉体 | 单管水平式，加热炉体可左右移动 |
| 适合晶体 | 可定制 |
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