一、设备概况
1.1设备用途：晶体材料生长设备。
1.2 VGF 、HB 、HGF 、VB产品特点：
1.2.1用于GaAs等化合物晶体的生长；
1.2.2按结构形式:垂直生长,水平生长；
1.2.3按生长方式:梯度生长及移动生长 ；
1.3晶体生长尺寸：2-6寸
1.4设备分类:HB 、HGF 、VGF 、VB
二、主要技术参数
提供专用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长制成专用设备,以满足化合物半导体器件的生产、研发工艺。
结构形式 | 单管水平式，加热炉体可左右移动 |
适合晶体（可定制） | 2~4寸 |
炉体有效加热长度 | 1600mm |
最高工作温度 | 1300℃ |
恒温区精度（静态闭管） | ±0.5℃ |
升温速率 | 斜变升温速率可控在0~15℃/min |
降温速率 | 0~5℃/min |
供电电源 | 三相五线~380V±10% ,50Hz |