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CMP抛光机,晶圆抛光机,硅片抛光机,单面抛光机

1. 产品概述:CMP抛光机,全称为化学机械抛光机,是一种针对薄膜(如介质层)进行抛光处理的设备。它结合了化学刻蚀和机械摩擦的综合作用,通过精确控制抛光过程中的化学和机械参数,实现对晶圆表面材料的精细去除和平坦化处理。CMP抛光机具有操作便捷、兼容性强等特点,能够根据不同尺寸和类型的晶圆进行适配,并通过更换抛光压头等方式实现多种抛光工艺的需求。2. 设备用途/原理:CMP抛光机在半导体制造中扮演着

1.  产品概述:

CMP抛光机,全称为化学机械抛光机,是一种针对薄膜(如介质层)进行抛光处理的设备。它结合了化学刻蚀和机械摩擦的综合作用,通过精确控制抛光过程中的化学和机械参数,实现对晶圆表面材料的精细去除和平坦化处理。CMP抛光机具有操作便捷、兼容性强等特点,能够根据不同尺寸和类型的晶圆进行适配,并通过更换抛光压头等方式实现多种抛光工艺的需求。

2.  设备用途/原理:

CMP抛光机在半导体制造中扮演着至关重要的角色,其主要用途包括:

1. 晶圆表面平坦化:在集成电路制造过程中,CMP抛光机用于对晶圆表面进行平坦化处理,以消除表面起伏和缺陷,提高晶圆表面的平整度。这对于后续工艺步骤的顺利进行和芯片性能的提升至关重要。

2. 薄膜厚度控制:CMP抛光机能够精确控制晶圆表面薄膜的厚度,确保薄膜厚度达到设计要求。这对于提高芯片的性能和可靠性具有重要意义。

3. 特殊材料加工:除了集成电路制造外,CMP抛光机还广泛应用于3D封装技术、特殊材料加工等领域。例如,在3D封装技术中,CMP抛光机用于处理芯片之间的连接面,以确保连接的精确性和可靠性。

3.  设备特点

CMP抛光机具有以下几个显著特点:

1  高精度控制:CMP抛光机采用先进的控制系统和精密的机械结构,能够实现对抛光过程中各项参数的精确控制。这包括抛光压力、抛光盘转速、抛光头转速等关键参数,从而确保抛光效果的稳定性和一致性。

2 多工艺兼容:CMP抛光机具有较强的兼容性,能够根据不同材料和工艺的需求进行适配。通过更换抛光压头、调整抛光液配方等方式,CMP抛光机可以实现对多种材料和工艺的抛光处理。

3 自动化程度高:现代CMP抛光机通常配备有自动化上下片系统、自动清洗系统等辅助设备,能够实现抛光过程的自动化操作。这不仅提高了生产效率,还降低了人工操作带来的误差和风险。

4 环保节能:CMP抛光机在设计和制造过程中注重环保和节能。例如,采用低能耗的电机和传动系统、优化抛光液配方以减少废液排放等措施,都有助于降低设备运行过程中的能耗和环境污染。

常规设备参数
项目/型号CMP-61D
大晶圆尺寸2-6英寸
抛光盘尺寸508mm(20inch)
抛光盘转速5~200 RPM
抛光头转速5~200 RPM
Wafer压力70~500g/cm2 气柔性加压
往复式修整系统可升摆臂式修整系统
摩擦力&温度监测系统可选配,可增选EPD功能
半自动loading托盘可选配
供液系统方式蠕动泵,独立3路通道


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